Многокристальная плоскость памяти Fairchild 1024-бит SAM использует шестнадцать 64-битных статических PMOS-чипов RAM (1968)
Динамическая оперативная память Intel i1103 (DRAM) представляет собой первый серьезный полупроводниковый вызов магнитным сердечникам как основной форме компьютерной памяти.
Джон Шмидт разработал 64-битную МОП p-канальную статическую RAM в Fairchild в 1964 году. Программа Fairchild 1968 года SAM (Semiconductor Active Memory) для Burroughs собрала шестнадцать таких чипов на керамических подложках, чтобы сформировать 1024-битные гибридные массивы. Монолитные решения вскоре обогнали этот и подобные многочиповые проекты в Computer Microtechnology, Intel, Motorola и TI (SMA 2001).
Технология кремниевых затворов с p-каналом от Intel с технологией скрытых контактов позволила реализовать 1103 1024-битную память на площади кристалла, вдвое меньшей, чем у конкурирующих DRAM.
Чтобы уменьшить размер чипа, Джоэл Карп из GMe придумал схему динамической синхронизации, которую Ли Бойсел адаптировал для создания 256-битных динамических ОЗУ в Fairchild в 1968 году и 1024- и 2048-битных устройств в Four Phase Systems в 1969 году. Эти и конкурирующие DRAM от Advanced Memory Systems (AMS6001) использовали от 4 до 6 транзисторов на бит.
«Ядра проигрывают ценовую войну» С помощью этой рекламы 1103 DRAM компания Intel настойчиво преследовала цель замены памяти на магнитных сердечниках в основных приложениях памяти компьютеров.
Билл Региц из Honeywell предложил ячейку с 3 транзисторами, которая была реализована Карпом в p-канальном кремниевом затворе Intel (1968 Milestone) . Улучшения, предложенные Тедом Хоффом, разработанные Бобом Эбботтом и отлаженные Бобом Ридом, привели к появлению 1103. Предлагая гораздо более высокую скорость и цену в 1 цент за бит, начиная с 1970 года 1103 быстро заменил технологию магнитных сердечников для основной памяти компьютера. В 1970 году Уолтер Кроликовски из Cogar описал еще более быструю n-канальную DRAM. IBM стала первым производителем, применившим эту новую технологию в System 370/158 в 1972 году.
Роберт Палмер работает на предприятии Sprague Microelectronics над ионным имплантером, который сыграл ключевую роль в успехе 4K DRAM компании Mostek.
Роберт Пробстинг из Mostek использовал ионно-имплантированные резисторы для снижения энергопотребления и размера кристалла, достаточного для упаковки 4К бит (MK4096) в обычный 16-контактный корпус в 1973 году. На уровне 16К (MK4116) в 1976 году Mostek принял однотранзисторную ячейку памяти, запатентованную исследователем IBM Робертом Деннардом, и методы проектирования, описанные Карлом-Ульрихом Штайном из Siemens. Этот подход привел к появлению 64К DRAM от японских и американских поставщиков до конца десятилетия и полупроводниковых систем памяти большой емкости, которые были такими же надежными и более экономичными, чем магнитные сердечники.
